فیلترها/جستجو در نتایج    

فیلترها

سال

بانک‌ها




گروه تخصصی











متن کامل


اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1400
  • دوره: 

    19
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    45-52
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    455
  • دانلود: 

    121
چکیده: 

چکیده: ترانزیستورهای نانونوار گرافنی نوع شاتکی (SBGNRFET)، علی رغم ویژگی های بارزی که نسبت به ترانزیستورهای متداول دارند، دارای جریان خاموش نسبتاً زیاد و نسبت پایین می باشند. در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور نانونوار گرافنی نوع شاتکی ارائه شده که در آن گیت ترانزیستور به دو قسمت تقسیم شده است. به گیتی که در سمت درین قرار گرفته است، ولتاژ ثابت متصل شده و گیتی که در سمت سورس قرار گرفته است، گیت اصلی ترانزیستور می باشد. ساختار SBGNRFET ارائه شده با مشخصه های هندسی و فیزیکی و در بایاس های متفاوت با استفاده از شبیه ساز عددی مبتنی بر توابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی شده و کارایی افزاره مورد ارزیابی قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی نشان دهنده بهبود نسبت تا 7/6 برابر در می باشد. در این ولتاژ نسبت از 2/1 در ترانزیستور SBGNRFET معمولی به 01/8 در ترانزیستور جدید رسیده و جریان خاموش از µ A 5 به µ A 7/0 کاهش یافته است. همچنین در، به عنوان ولتاژ تغذیه، نسبت از 97/3 به 8/15 و جریان خاموش از µ A 63/0 به µ A 16/0 رسیده است.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 455

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 121 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1395
  • دوره: 

    1
تعامل: 
  • بازدید: 

    565
  • دانلود: 

    283
چکیده: 

این پژوهش بر اساس تحلیل دینامیکی جریان گاز در داخل یک سانتریفیوژگازی بلند با استفاده از شرایط مرزی می باشد. در این پروژه ما بر پایه روش تفاضل محدود، با استفاده از کد برنامه نویسی Fortran و روش تکرار گوس سایدل و ژاکوبی و بر اساس نوع مش بندی مربعی با نقاط ثابت و دستگاه معادلات بقایی، 4 معادله غیر خطی بیضوی، تابع جریان، حالت گردابی، انرژی وسرعت Azimuthal و معادلات دیگر را تحلیل نمودیم. در این مقاله نوع مش بندی روتور از نوع متناوب بوده که 50 نقاط گرهی در راستای شعاعی و 100 نقاط گرهی در راستای محوری می باشد وهمچنین در این مش بندی مبحث مهم Claustering در مناطق مختلف روتور رعایت شده است. از طرفی خواص حرارتی دیواره سیلندر و کلاهک های انتهایی و همچنین ضریب انتقال حرارت بین سیلندر دوار و محیط اطراف اثر بسیار محدودی بر روی عملکرد جداسازی در یک سانتریفیوژ گازی بلند دارد.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 565

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 283
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1391
  • دوره: 

    19
تعامل: 
  • بازدید: 

    473
  • دانلود: 

    375
کلیدواژه: 
چکیده: 

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 473

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 375
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
نویسندگان: 

GHAEMI A. | BANAEI M.R. | SAFARI A.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2019
  • دوره: 

    7
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    129-139
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    296
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

One of the most efficient lighting technologies is based on light-emitting diodes (LEDs). Common LED drivers with AC-input (50-60Hz) usually require a bulk electrolytic capacitor to decrease low-frequency ripple in the output. However, the critical element that limits the lifespan of the LED driver is the electrolytic capacitor. An isolated Off-line LED driver is proposed in this paper, in which the required output capacitance is reduced so that the electrolytic capacitor can be omitted from the driver structure. The driver’ s configuration and controlling method provide a high input power factor. Just a single switch and therefore a single controlling IC have been used in the proposed structure. The input power factor correction is implemented utilizing a boost-based method, and a novel structure is introduced for dc/dc conversion section. Power factor correction and dc/dc conversion are performed employing a simplistic and single controlling system. The output current feeding the LEDs is a high frequency pulsating current. Calculations, simulations and experimental waveforms of a laboratory prototype are presented to confirm the validity of the proposed driver.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 296

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1391
  • دوره: 

    1
تعامل: 
  • بازدید: 

    303
  • دانلود: 

    303
چکیده: 

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 303

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 303
نویسندگان: 

Buttol S. | Balaji B.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2024
  • دوره: 

    37
  • شماره: 

    9
  • صفحات: 

    1773-1779
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    6
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

This study introduces a biosensor employing a dielectric-modulated dual material gate tunnel field effect transistor (DM-DMG TFET) in 10 nanometer technology. To detect diverse bio molecules, the biosensor incorporates a nano gap cavity formed through gate overlap on the drain side. The variation in ambipolar current serves as the sensing parameter, influenced by altering the dielectric constants of immobilized bio molecules within the nano cavity. In this paper, the simulation results of biosensor employing a dielectric-modulated dual material gate tunnel field effect transistor with different dielectric constants imposed in nano cavity. A comprehensive examination of the biosensor's performance is conducted, exploring various positions and filling factors of bio molecules within the nano cavity region. This analysis involves a thorough investigation into the device's performance, considering a range of parameters such as drain current, electric field distribution, variations in surface potential, configurations of energy bands, behaviors of carrier concentration, and the Ion/IOff ratio. The simulations are done using the Silvaco TCAD Atlas tool.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 6

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
نشریه: 

دریافنون

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1402
  • دوره: 

    10
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    120-135
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    99
  • دانلود: 

    35
چکیده: 

In this paper, a new high step-up current-fed LLC resonant DC-DC converter with a center-tapped transformer is proposed. By selecting the switching frequency to be lower than, but near to, the series resonant frequency of the LLC resonant tank, soft-switching operation of all semiconductors, i.e., zero voltage switching (ZVS) turn-on of power MOSFETs and zero current switching (ZCS) turn-Off of diodes is achieved. This leads to lower electromagnetic interference (EMI) and lower switching losses and improves the converter efficiency. An interleaved structure is used at the primary side. Thus, input current ripple is smaller, and its frequency is twice the switching frequency. Consequently, a smaller input filter is necessary in practice. The converter with 1.2 kW output power and 760 V regulated output voltage with 80-200 V input voltage variations is simulated. The output voltage is regulated by using asymmetric pulse width modulation (APWM) at 200 kHz switching frequency. Finally, a 700-W prototype has been implemented and experimental results are also presented to verify the simulation results.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 99

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 35 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

SALEH S.A. | RAHMAN M.A.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2003
  • دوره: 

    1
  • شماره: 

    -
  • صفحات: 

    0-0
تعامل: 
  • استنادات: 

    1
  • بازدید: 

    121
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 121

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 1 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2012
  • دوره: 

    15
  • شماره: 

    3
  • صفحات: 

    136-141
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    496
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

Background: The threshold of thyroid-stimulating hormone (TSH) in current screening for congenital hypothyroidism (CH) from the heel prick test is 5mU/l. This study uses cost-effective analysis to evaluate increasing the threshold to minimize false-positive results and recall rates.Methods: Cost of screening, diagnosis and treatment, education, and care of mentally retarded patients were gathered from the Ministry of Health State Welfare Organization and Department of Education in Tehran. Screening data were obtained from 34, 007 neonates in the Central Health Laboratory of Tehran University of Medical Sciences in 2009. Sensitivity analysis and calculation of confidence interval for incremental costs and effects (gained disability adjusted life years-DALYs) and incremental cost-effectiveness ratios (ICER) were performed by Monte Carlo simulation with Ersatz software.Results: ICER for screening programs with different TSH cut-Off points versus no screening was similar, and approximately -4.5±0.2 thousand US dollars per gained DALY. In the proposed cohort (10, 000 neonates), gained DALYs were 316±50 for a cutOff point of 5 mU/l, 251±40 for 10 mU/l, 146±23 for 15 mU/l, and 113±18 for a cut-Off point of 20 mU/l. Sensitivity analysis showed that the model remained the same when the input parameters were changed.Conclusion: This study demonstrates that the current threshold of TSH in the national CH screening program in terms of cost-effectiveness is the most appropriate threshold. However, more studies are needed to examine new strategies and methods to reduce recall rates and related consequences such as repeated thyroid testing in neonates.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 496

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1393
  • دوره: 

    21
تعامل: 
  • بازدید: 

    378
  • دانلود: 

    207
چکیده: 

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (pdf) مراجعه فرمایید.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 378

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 207
litScript
telegram sharing button
whatsapp sharing button
linkedin sharing button
twitter sharing button
email sharing button
email sharing button
email sharing button
sharethis sharing button